Компания Micron сообщает о намерении инвестировать около $9.6 миллиардов в создание новой производственной линии по производству высокоскоростной памяти HBM в Хиросиме, Япония. Эта инициатива направлена на удовлетворение растущего спроса на память для ускорителей, необходимых в области искусственного интеллекта. В отличие от конкурента Samsung, который также рассматривает увеличение мощностей в производстве DRAM, Micron сосредоточила свои усилия именно на более прибыльной HBM-памяти. Ожидается, что строительство новой линии начнется в следующем году, а массовое производство намечено на 2028 год. В дополнение к инвестициям Micron, правительство Японии может выделить дополнительные средства для поддержки данного проекта. На текущий момент Micron уже производит в Японии передовую память LPDDR5x с использованием технологии EUV-литографии.
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Вам также может быть интересно
Компания «Ультрадекор», ведущий производитель древесных плит и напольных покрытий, начинает новую стадию своей реализации.
Jaguar Land Rover, крупнейший автопроизводитель в Великобритании, объявил о приостановке производства до 24 сентября
В Казани прошла государственная экспертиза, в результате которой одобрили проекты строительства новых объектов для
В Свердловской области два крупных металлургических предприятия объявили о сокращении производства. Завод «Кремний Урал»
В последние два года Россия значительно увеличила импорт робототехники, который возрос на 81% в
В Красноярске лакокрасочная компания «БытХим» увеличила объемы производства и эффективность работы благодаря льготному займу